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WO3的熔点为1469℃，随着晶体的不断生长，功率降低，上保温屏中间处的温度降低到WO3的熔点以下，WO3在此处沉积。挥发物在生长到2kg左右时，可完全堵塞窗口。此时的功率在70kW左右，此处的温度降低到827℃左右，MoO3在此处沉积。在晶体生长前期，挥发物沉积会堵掉部分观察窗，使上部散热量减少，导致晶体无法放肩甚产生回熔；在晶体生长后期，挥发物会完全堵掉观察窗，造成炉内温度升高，坩埚底部温度梯度减小，容易造成晶体尾部过快生长，产生粘锅及气泡，影响晶体整体品质。

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绘制原则：1，绘制电气接线图时，各电器元件均按其在底板中的实际位置绘出。元件所占图面按实际尺寸以统一比例会址。2，绘制电气接线图时，一个元件的所有部件绘在一起，并用点划线框起来，有时将多个电器元件用点划线框起来，表示它们是在同一底板上的。依据相对编号法，查到该所连接的另外设备的端子，然后再查出该端子所连接另外设备，直到查到直流电源的正负极或交流回路的火线和中性线为止。后把整个相关的回路都查出来，画成图后可分析连接是否符合动作原理。当想弄清展图上设备的位置时，则一是利用展图上的设备表的位置，然后去相应的图上查对。二是先弄清展图中的端子符号，哪些是屏柜端子排的端子。则从图中每个的设备端子上所标的编号如手上只有图或者发现图与展图的原理接线图无法对应时哪些是（保护或自动）装置的端子，然后直接去可能的屏柜，端子箱中查找。(7) 识图特殊问题的解决方法。