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除了已经实现生产机械化和自动化以外，铝电解电容器在工艺上的进展主要是腐蚀和赋能两个工艺。铝箔的腐蚀系数不但已经很高(低压电容器箔已达100，高压者达25)，而且可以根据对电容器的性能要求，腐蚀出不同坑洞形貌的铝箔。腐蚀工艺是一种腐蚀液种类、浓度、温度、原箔成分、结构、表面状态、腐蚀过程中箔速度以及电源类型、波形、频率、电压等的动态平衡工艺。问题是如何得出的动态平衡和如何根据要求确定出平衡。因此，对腐蚀工艺还不能说已经达到了状态。
现在的赋能工艺已经可以出 的介质氧化膜，而且还可以根据要求不同，出不同的介质氧化膜，例如，对直流电容器，出γ和γ’型结晶氧化铝膜，对交流电容器，则为非晶膜。赋能工艺的进展是能将氢氧化铝膜转变成介质氧化铝膜、并能在其表面形成防水层。此外，还能消除介质膜的疵点和龟裂。单片机的复位时间大约在2个机械周期左右，具体需要看芯片数据手册。一般通过复位芯片或者复位电路，具体的阻容参数的计算，通过google查找。十、按键抖动及消除按键也是机械装置，在按下或放的一瞬间会产生抖动，如下图：消除方法有两种：软件除抖和硬件除抖，其中硬件除抖是应用了电容对高频信号短路的原理。软件除抖是检测出键闭合后执行一个延时程序，产生5ms～10ms的延时，让前沿抖动消失后再一次检测键的状态，如果仍保持闭合状态电平，则确认为真正有键按下。